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Area‐Type Electronic Bipolar Resistive Switching of Pt/Al2O3/Si3N3.0/Ti with Forming‐Free,Self‐Rectification,and Nonlinear Characteristics
Authors:Dae Eun Kwon  Jihun Kim  Young Jae Kwon  Kyung Seok Woo  Jung Ho Yoon  Cheol Seong Hwang
Abstract:
Keywords:electronic bipolar resistive switching  resistive switching  silicon nitride
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