| 硅纳米线的制备及应用研究进展 |
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| 引用本文： | 胡德巍,唐安江,唐石云,韦德举,田合鑫. 硅纳米线的制备及应用研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1743-1751 |
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| 作者姓名： | 胡德巍 唐安江 唐石云 韦德举 田合鑫 |
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| 作者单位： | 贵州大学化学与化工学院,贵阳 550025;贵州大学化学与化工学院,贵阳 550025;贵州理工学院化学工程学院,贵阳 550003;贵州理工学院化学工程学院,贵阳 550003 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(2176060184) |
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| 摘 要： | 介绍了硅纳米线在制备技术方面的最新进展,综述了硅纳米线两种不同的生长模式("自上而下"和"自下而上"),以及在两种生长模式下硅纳米线的制备方法,即化学气相沉积、分子束外延、激光烧蚀、氧化物辅助生长、溶液法、电子束光刻、纳米压印光刻和金属辅助化学刻蚀等,并对各种方法的优缺点进行了仔细叙述,总结了硅纳米线的两种典型生长方向(平面和垂直)的研究现状.最后阐述了近年来硅纳米线在电子器件、传感器件和太阳能电池的应用情况,并展望其发展趋势,为科研人员进一步开拓硅纳米线研究提供一定参考.
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| 关 键 词： | 硅纳米线 制备方法 生长模式 电子器件 传感器 太阳能电池 |
Research Progress on Preparation and Application of Silicon Nanowires |
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| HU Dewei,TANG Anjiang,TANG Shiyun,WEI Deju,TIAN Hexin. Research Progress on Preparation and Application of Silicon Nanowires[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2020, 49(9): 1743-1751 |
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| Authors: | HU Dewei TANG Anjiang TANG Shiyun WEI Deju TIAN Hexin |
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