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RbY2Cl7:Ce晶体的生长和闪烁性能研究
引用本文:俞云耀,朱贺炳,王昊宇,耿巨峰,潘建国,潘尚可. RbY2Cl7:Ce晶体的生长和闪烁性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(5): 780-784
作者姓名:俞云耀  朱贺炳  王昊宇  耿巨峰  潘建国  潘尚可
作者单位:宁波大学材料科学与化学工程学院,宁波 315211;宁波大学材料科学与化学工程学院,宁波 315211;浙江省光电探测材料及器件重点实验室,宁波 315211
基金项目:国家自然科学基金(61775108,61875096)
摘    要:采用坩埚下降法,在真空密封的石英坩埚中成功生长出复合稀土卤化物RbY2Cl7:Ce单晶.此晶体属于正交晶系,晶胞参数为:a=1.27469 nm,b=0.69302 nm,c=1.26655 nm.熔点为617℃.表征了该晶体的X射线光致激发-发光光谱、激发发射光谱、γ射线多道能谱及激发衰减曲线等闪烁性能.RbY2Cl7:Ce的激发-发射光谱显示发射峰在389 nm左右,激发峰在336 nm左右.在137Cs源的γ射线激发下能量分辨率约为9.8;,闪烁衰减时间约为35 ns.

关 键 词:闪烁晶体  RbY2Cl7:Ce  坩埚下降法  能量分辨率  衰减时间

Growth and Scintillation Properties of RbY2Cl7:Ce Crystal
YU Yunyao,ZHU Hebing,WANG Haoyu,GENG Jufeng,PAN Jianguo,PAN Shangke. Growth and Scintillation Properties of RbY2Cl7:Ce Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2020, 49(5): 780-784
Authors:YU Yunyao  ZHU Hebing  WANG Haoyu  GENG Jufeng  PAN Jianguo  PAN Shangke
Abstract:
Keywords:
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