| PVT法AlN单晶生长技术研究进展及其面临挑战 |
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| 引用本文： | 付丹扬,龚建超,雷丹,黄嘉丽,王琦琨,吴亮.PVT法AlN单晶生长技术研究进展及其面临挑战[J].人工晶体学报,2020,49(7):1141-1156. |
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| 作者姓名： | 付丹扬 龚建超 雷丹 黄嘉丽 王琦琨 吴亮 |
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| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院,省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室,上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室,上海200444;奥趋光电技术(杭州)有限公司,杭州311106 |
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| 摘 要： | 氮化铝(AlN)具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率(340 W/(m·℃))、高击穿场强(11.7 MV/cm)、良好的紫外透过率、高化学和热稳定性等优异性能,是氮化镓基(GaN)高温、高频、高功率电子器件以及高Al组分深紫外光电器件的理想衬底材料.物理气相传输(PVT)法是制备大尺寸高质量AlN单晶最有前途的方法.本文介绍了AlN单晶的晶体结构、基本性质及PVT法生长AlN晶体的原理与生长习性.基于AlN单晶PVT生长策略,综述了自发形核工艺、同质外延工艺及异质外延工艺的研究历程,各生长策略的优缺点及其最新进展.最后对PVT法生长AlN单晶的发展趋势及其面临的挑战进行了简要展望.
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| 关 键 词： | AlN单晶 PVT 自发形核生长 同质外延生长 异质外延生长 |
Research Progress and Future Challenges of AlN Single Crystal Growth by Physical Vapor Transport Method |
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| FU Danyang,GONG Jianchao,LEI Dan,HUANG Jiali,WANG Qikun,WU Liang.Research Progress and Future Challenges of AlN Single Crystal Growth by Physical Vapor Transport Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(7):1141-1156. |
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| Authors: | FU Danyang GONG Jianchao LEI Dan HUANG Jiali WANG Qikun WU Liang |
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