| 新型红外非线性光学晶体BaGa2GeSe6的生长与器件制备 |
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| 作者姓名： | 方攀 袁泽锐 陈莹 尹文龙 姚吉勇 康彬 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳 621900;中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳 621900;中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,绵阳 621900;中国科学院理化技术研究所人工晶体研发中心,北京 100190 |
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| 基金项目： | 军科委创新特区项目(193-A22-101-07-01);国家自然科学基金(51472251)。 |
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| 摘 要： | 钡镓锗硒(BaGa2GeSe6,BGGSe)晶体是由中国科学家发明的一种性能优异的新型红外非线性光学材料.目前国内未见到关于该晶体的大尺寸制备报道.本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出BGGSe多晶,单次合成量达到400 g;采用坩埚下降法生长出大尺寸高质量BGGSe单晶,尺寸为φ30 mm×90 mm,为国内首次;通过定向、切割和抛光等处理工艺,成功制备出BGGSe晶体器件,为该晶体下一步的应用研究打下了坚实基础.
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| 关 键 词： | 红外非线性光学晶体 BaGa2GeSe6单晶 坩埚下降法 晶体生长 |
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