Ge掺杂β-Ga_2O_3晶体的发光性能研究（英文）

采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga_2O_3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响。透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增加,Ge∶β-Ga_2O_3晶体光学带隙增大。在4.67 eV紫外光激发下,Ge∶β-Ga_2O_3晶体的发光强度与β-Ga_2O_3晶体相当,发光衰减时间比β-Ga_2O_3晶体更快。