| VGF法半绝缘GaAs单晶EL2浓度优化研究 |
| |
| 引用本文： | 兰天平,边义午,周春锋,宋禹.VGF法半绝缘GaAs单晶EL2浓度优化研究[J].人工晶体学报,2020,49(3):412-416. |
| |
| 作者姓名： | 兰天平 边义午 周春锋 宋禹 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220 |
| |
| 基金项目： | 国防科工局进口替代专项 |
| |
| 摘 要： | 为了获得高电阻率及迁移率的半绝缘GaAs单晶材料,采用经高压及水平合成不同工艺制得的GaAs多晶料,进行垂直梯度凝固(V GF)法半绝缘GaAs单晶生长,测试和分析相应单晶片的EL2浓度、C浓度及电阻率、迁移率等性能参数,对比和分析了GaAs化学计量比的不同对单晶EL2浓度及电学参数的影响,经多炉次实验,确定出GaAs单晶电阻率＞1×108Ω·cm及迁移率＞5×103 cm2/(V·s)时C浓度及EL2浓度的合理范围,并据此结论,指导MBE外延用半绝缘GaAs单晶生长,保证了半绝缘GaAs单晶在满足高电阻率和迁移率的同时,具有较高的重复性和一致性.
|
| 关 键 词： | 砷化镓 垂直梯度凝固法 半绝缘 晶体生长 EL2 |
Study on EL2 Concentration Optimization of VGF Semi-insulating Gallium Arsenide Single Crystal |
| |
| LAN Tianping,BIAN Yiwu,ZHOU Chunfeng,SONG Yu.Study on EL2 Concentration Optimization of VGF Semi-insulating Gallium Arsenide Single Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(3):412-416. |
| |
| Authors: | LAN Tianping BIAN Yiwu ZHOU Chunfeng SONG Yu |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
