| 基于AFORS-HET的单层MoS2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池模拟 |
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| 作者姓名： | 罗伟 姜鑫 梁世豪 杜锐 |
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| 作者单位： | 东北石油大学电子科学学院,大庆163318;黑龙江省高校校企共建测试计量技术及仪器仪表工程研发中心,大庆163318;东北石油大学电子科学学院,大庆163318 |
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| 基金项目： | 黑龙江省高等教育教学改革一般研究项目(SJGY20190100) |
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| 摘 要： | 设计了单层MoS2 (n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池结构,采用AFORS-HET模拟软件模拟了背场层的带隙、掺杂浓度和缺陷密度等参数对开路电压、短路电流、填充因子和转化效率的影响.结果 显示,背场层带隙在1.5 ～1.7 eV之间,背场层的掺杂浓度大于1×1018 cm-3时,该结构的太阳能电池有比较稳定的表现.缺陷密度增加时,太阳能电池效率随着缺陷密度的对数线性减小,当控制缺陷密度在1011 cm-3以下时,可以获得大于24.10;的转化效率,缺陷密度为109 cm-3时,可以获得最高29.08;的转换效率.最后研究了背场层对该结构太阳能电池的作用,结果显示有效控制缺陷密度时,背场层的添加对电池效率的提升很明显.
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| 关 键 词： | AFORS-HET 异质结太阳能电池 背场层 缺陷密度 |
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