| 气相捕获腔对石墨烯低压化学气相沉积形核生长的影响 |
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| 引用本文： | 史永贵,桑昭君,王允威,赵高扬.气相捕获腔对石墨烯低压化学气相沉积形核生长的影响[J].人工晶体学报,2020,49(3):439-445. |
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| 作者姓名： | 史永贵 桑昭君 王允威 赵高扬 |
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| 作者单位： | 西安理工大学材料科学与工程学院,西安710048;西安理工大学材料科学与工程学院,西安710048;攀枝花学院生物与化学工程学院,攀枝花617000 |
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| 基金项目： | 陕西省教育厅自然科学专项(17JK0571);陕西省自然科学基础研究专项(2017JQ5107);攀枝花市科技计划项目(2017CY-G-18) |
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| 摘 要： | 基于石墨烯低压化学气相沉积技术,通过调控甲烷流量对比研究了传统生长腔和气相捕获腔中石墨烯在铜箔衬底上的形核生长特点.结果 表明,与传统生长腔相比,气相捕获腔能够将石墨烯的形核密度降低3个数量级,并促使石墨烯晶核快速长大.同时,气相捕获腔能够为石墨烯提供一个稳定的生长环境,有利于制备晶格完美的石墨烯晶畴,并为石墨烯晶畴的融合提供更多的有效活性碳原子,加速石墨烯晶畴之间的融合,提高石墨烯薄膜的质量.在此基础上分析了气相捕获腔对石墨烯低压化学气相沉积形核生长的影响机理.
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| 关 键 词： | 石墨烯 低压化学气相沉积 气相捕获腔 铜箔 形核 生长 |
Effect of the Vapor Trapping Chamber on the Nucleation and Growth of Graphene by Low Pressure Chemical Vapor Deposition |
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| SHI Yonggui,SANG Zhaojun,WANG Yunwei,ZHAO Gaoyang.Effect of the Vapor Trapping Chamber on the Nucleation and Growth of Graphene by Low Pressure Chemical Vapor Deposition[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(3):439-445. |
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| Authors: | SHI Yonggui SANG Zhaojun WANG Yunwei ZHAO Gaoyang |
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