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40-Gbit/s SDH光纤通信系统前置放大器设计
引用本文:孙玲, 王志功, 韩鹏, 高建军,.40-Gbit/s SDH光纤通信系统前置放大器设计[J].电子器件,2007,30(2):440-443.
作者姓名:孙玲  王志功  韩鹏  高建军  
作者单位:1. 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,江苏,南通,226007
2. 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096
基金项目:江苏省自然科学基金 , 江苏省重点实验室基金
摘    要:基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了共基极和共发共基两种输入结构的前置放大器.为获得更宽的电路带宽,共基极电路采用了电容峰化技术.电路仿真表明,采用这些技术使两种前置放大器的跨阻带宽都达到了28GHz以上,满足了40Gbit/s SDH光纤通信系统带宽要求.通过比较两种不同输入结构前置放大器的增益、带宽、电路稳定性以及噪声特性,提出了双极型晶体管实现高速前置放大器的设计方案.

关 键 词:光纤通信  前置放大器  BiCMOS工艺  电容峰化  共发共基放大器
文章编号:1005-9490(2007)02-0440-04
修稿时间:2006年9月6日

Preamplifier Design for 40-Gbit/s SDH Optical Communication
SUN Ling,WANG Zhi-gong,HAN Peng,GAO Jian-jun.Preamplifier Design for 40-Gbit/s SDH Optical Communication[J].Journal of Electron Devices,2007,30(2):440-443.
Authors:SUN Ling  WANG Zhi-gong  HAN Peng  GAO Jian-jun
Institution:Institute of RF-& OE-ICs,Southeast University,Nanjing 210096,China;2.Jiangsu Provincial Key Lab of ASIC Design,Nantong University,Jiangsu Nantong 226007,China
Abstract:
Keywords:optical communication  preamplifier  BiCMOS Process  capacitive peaking  cascode
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