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Hg_(1-x)Cd_xTe材料的EB1V研究
引用本文:方晓明,陈伯良,俞锦陛.Hg_(1-x)Cd_xTe材料的EB1V研究[J].红外与毫米波学报,1986,5(5).
作者姓名:方晓明  陈伯良  俞锦陛
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所 (方晓明,陈伯良),中国科学院上海技术物理研究所(俞锦陛)
摘    要:扫描电镜的电子束感生电压技术(SEM-EBIV)是研究半导体材料的有效手段,可以直观地显示材料中存在的势垒区。对N-Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te材料作适当的表面处理后,我们用蒸发的方法在材料表面淀积一层金属Pt,以形成M-S整流接触;把In直接焊到金属膜上作为电极。在国产DX-3A型扫描电镜上,采用EBIV技术在温度100K对这种结构进行了研究。直接观察到在金属膜周围

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