Hg_(1-x)Cd_xTe材料的EB1V研究 |
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引用本文: | 方晓明,陈伯良,俞锦陛.Hg_(1-x)Cd_xTe材料的EB1V研究[J].红外与毫米波学报,1986,5(5). |
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作者姓名: | 方晓明 陈伯良 俞锦陛 |
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作者单位: | 中国科学院上海技术物理研究所
(方晓明,陈伯良),中国科学院上海技术物理研究所(俞锦陛) |
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摘 要: | 扫描电镜的电子束感生电压技术(SEM-EBIV)是研究半导体材料的有效手段,可以直观地显示材料中存在的势垒区。对N-Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te材料作适当的表面处理后,我们用蒸发的方法在材料表面淀积一层金属Pt,以形成M-S整流接触;把In直接焊到金属膜上作为电极。在国产DX-3A型扫描电镜上,采用EBIV技术在温度100K对这种结构进行了研究。直接观察到在金属膜周围
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