| 碳化硅单晶材料的溶剂热合成与表征 |
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| 引用本文： | 宁吉强,杨碚芳,傅正平,王震,张庶元. 碳化硅单晶材料的溶剂热合成与表征[J]. 化学物理学报, 2004, 17(5): 633-636 |
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| 作者姓名： | 宁吉强 杨碚芳 傅正平 王震 张庶元 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学材料科学与工程系 合肥230026(宁吉强，杨碚芳，傅正平，王震)，中国科学技术大学结构分析研究开放实验室 合肥230026(张庶元) |
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| 基金项目： | ProjectsupportedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina |
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| 摘 要： | 采用SiCl4、CCl4和金属K体系 ,以溶剂热合成法在高压釜中制备了碳化硅 (SiC)单晶材料 .通过X射线粉末衍射 (XRD)、Raman光谱和透射电子显微镜 (TEM)对产物进行了表征 .其中XRD数据显示所得产物为碳化硅 .TEM结果表明 ,采用不同剂量的金属K ,所得产物分别为丝状和片状的SiC单晶 .SiC单晶丝直径为 10～2 0nm ,长度可达 1.5 μm ;SiC晶片的横向尺寸为 0 .1～ 3μm ,具有规则多面体外形 ,显示阶梯状生长侧面 .此外 ,对SiC单晶材料的生长机理进行了讨论 ,研究了过饱和度对SiC晶体生长和形貌的影响 .
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| 关 键 词： | 溶剂热合成 碳化硅 过饱和度 |
| 收稿时间： | 2003-03-05 |
Solvothermal Synthesis of SiC Single Crystals |
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| Ning Jiqiang,Yang Beifang,Fu Zhengping,Wang Zhen and Zhang Shuyuan. Solvothermal Synthesis of SiC Single Crystals[J]. Chinese Journal of Chemical Physics, 2004, 17(5): 633-636 |
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| Authors: | Ning Jiqiang Yang Beifang Fu Zhengping Wang Zhen Zhang Shuyuan |
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| Affiliation: | Ning Jiqianga,Yang Beifang a**,Fu Zhengpinga,Wang Zhena,Zhang Shuyuanb |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Solvothermal synthesis SiC Supersaturation |
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