| 电子束蒸发制备ZnO薄膜及其晶体结构和电学性质 |
| |
| 引用本文： | 孟宪权,陈巍,李惟芬,张观明,马飞,王栋. 电子束蒸发制备ZnO薄膜及其晶体结构和电学性质[J]. 武汉大学学报(理学版), 2004, 50(5): 563-567 |
| |
| 作者姓名： | 孟宪权 陈巍 李惟芬 张观明 马飞 王栋 |
| |
| 作者单位： | 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(90101002) |
| |
| 摘 要： | 采用电子束蒸发法制备了ZnO薄膜。研究了退火温度及衬底对薄膜的结晶状况以及电学性质的影响．X射线衍射测试结果表明。相同蒸发条件下制备的ZnO薄膜，硅(100)衬底上薄膜晶粒尺寸为73nm。结晶情况明显好于陶瓷和玻璃衬底上的薄膜．退火之后，各种衬底上薄膜的结晶情况相对未退火时都有明显好转；400℃退火时。薄膜逐渐结晶；600℃退火时，ZnO薄膜体现良好的择优生长的趋势，晶粒长大，晶化程度提高，大部分晶粒发生了织构．在400℃退火后。掺入Al2O3的薄膜和未掺杂的ZnO薄膜的电阻率下降了一个多数量级，但掺入MgO的薄膜电阻率变大。这是由于MgO掺杂起到了补偿作用，掺入MgO有可能实现ZnO薄膜的P型掺杂．
|
| 关 键 词： | 电子束蒸发 制备 氧化锌薄膜 晶体结构 电学性质 退火 p型掺杂 |
| 文章编号： | 1671-8836(2004)05-0563-05 |
| 修稿时间： | 2004-03-23 |
Structures and Electric Properties of ZnO Thin Films Prepared by Electron Beam Evaporation |
| |
| MENG Xian-quan,CHEN Wei,LI Wei-fen,ZHANG Guan-ming,MA Fei,WANG Dong. Structures and Electric Properties of ZnO Thin Films Prepared by Electron Beam Evaporation[J]. JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition, 2004, 50(5): 563-567 |
| |
| Authors: | MENG Xian-quan CHEN Wei LI Wei-fen ZHANG Guan-ming MA Fei WANG Dong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ZnO films E-beam evaporation p-type mingle anneal |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
