| 采用超晶格结构实现C过量掺杂Ge2Sb2Te5材料的相变性能研究 |
| |
| 引用本文： | 吴晓庆,薛建忠,裴明旭,朱小芹,郑龙.采用超晶格结构实现C过量掺杂Ge2Sb2Te5材料的相变性能研究[J].西北师范大学学报,2023(4):59-63+71. |
| |
| 作者姓名： | 吴晓庆 薛建忠 裴明旭 朱小芹 郑龙 |
| |
| 作者单位： | 江苏理工学院数理学院 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(12074152,12104192)；;江苏省自然科学基金资助项目(BK20201056)； |
| |
| 摘 要： | 研究了C过量掺杂Ge2Sb2Te5GST</sup>相变材料的相变特性与微观结构,制备了一系列包含周期性2nmC薄膜与GST薄膜的超晶格结构复合相变薄膜材料.研究发现,相变材料的相变性能与GST的厚度有较强的依赖关系,反映出C掺杂比例对GST相变性能的影响.随着GST厚度的逐渐降低,高温下C的自发扩散导致GST的掺杂效应逐渐增强,超晶格体系的非晶—晶态相变逐渐被抑制.在此结构中,过量的C掺杂导致体系越来越难以发生相变,甚至失去相变特性.同时,由于C-Ge、C-Sb和C-Te键不稳定,多次可逆的非晶—晶态转变后体系将同时出现未掺杂的GST成分与C掺杂的GST的成分,因此有可能出现稳定的三相.最后,制备了基于GST(8nm)/C(2nm)]5相变薄膜的相变存储器件,器件的测试结果证实体系能够出现稳定的三电阻态.
|
| 关 键 词： | Ge2Sb2Te5 超晶格结构 相变 过量掺杂 多电阻态 |
|
|
