| 多种含硫溶液钝化(100)GaAs表面的实验研究 |
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| 引用本文： | 刘春玲,张晶,么艳平,王玉霞,王春武,王丽娟,薄报学. 多种含硫溶液钝化(100)GaAs表面的实验研究[J]. 发光学报, 2007, 28(6): 904-906 |
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| 作者姓名： | 刘春玲 张晶 么艳平 王玉霞 王春武 王丽娟 薄报学 |
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| 作者单位： | 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;吉林师范大学,吉林,四平,136000;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;吉林师范大学,吉林,四平,136000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60477010,60476026)，武器装备预研基金(9140c3103020604)资助项目 |
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| 摘 要： | 为实现GaAs表面的钝化,以Na2S、(NH4)2S、CH3CSNH2为主要研究对象,通过对比实验研究得出较为理想的湿法钝化液。通过光致发光(PL)谱研究了(NH4)2S 叔丁醇、CH3CSNH2 NH4OH、CH3CSNH2 叔丁醇三种不同含硫溶液钝化(100)GaAs表面后的发光特性。PL谱测试发现,(NH4)2S 叔丁醇饱和溶液处理过的(100)GaAs表面光致发光强度最强,PL谱的相对发光强度是未做钝化处理的10倍左右。因此得出(NH4)2S 叔丁醇饱和溶液是较为理想的(100)GaAs表面钝化液。
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| 关 键 词： | 砷化镓 表面钝化 光致发光 非辐射复合 |
| 文章编号： | 1000-7032（2007）06-0904-03 |
| 收稿时间： | 2007-04-16 |
| 修稿时间： | 2007-06-10 |
Research on (100)GaAs Surface Passivation with Sulf-solutions |
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| LIU Chun-ling,ZHANG Jing,YAO Yan-ping,WANG Yu-xia,WANG Chun-wu,WANG Li-juan,BO Bao-xue. Research on (100)GaAs Surface Passivation with Sulf-solutions[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007, 28(6): 904-906 |
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| Authors: | LIU Chun-ling ZHANG Jing YAO Yan-ping WANG Yu-xia WANG Chun-wu WANG Li-juan BO Bao-xue |
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| Abstract: | The passivation of(100)GaAs surface was investigated by Na2S,(NH4)2S and CH3CSNH2 solution to find optimal passivation methods.(NH4)2S t-C4H9OH,CH3CSNH2 NH4OH and CH3CSNH2 t-C4H9OH sulf-solutions have been used for passivation comparation of(100) GaAs surface by means of Ar laser excitated photoluminescence(PL).The relative PL spectrum intensity of sample treated by(NH4)2S t-C4H9OH passivation is 10 times stronger than that of unpassivated samples.The results indicate that(NH4)2S t-C4H9OH solution has the better passivation effect on(100) GaAs surface. |
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| Keywords: | GaAs surface passivation photoluminescence non-radiation recombination |
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