| 利用硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度 |
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| 引用本文： | 唐爽,岑剡.利用硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度[J].物理实验,2008,28(11). |
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| 作者姓名： | 唐爽 岑剡 |
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| 作者单位： | 复旦大学,物理学系,上海,200433 |
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| 摘 要： | 以白炽灯为光源照射单晶硅光电池,测量在硅光电池前加不同截止波长的滤色片时的短路电流.通过短路电流和截止波长的关系,经拟合得到单晶硅材料的长波限,再利用半导体材料的长波限与半导体的禁带宽度Eg的关系,即Eg=hc/λ,计算得出其禁带宽度.
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| 关 键 词： | 硅光电池 短路电流 截止波长 禁带宽度 |
Measuring the band gap of silicon using silicon photocells |
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| TANG Shuang,CEN Yan.Measuring the band gap of silicon using silicon photocells[J].Physics Experimentation,2008,28(11). |
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| Authors: | TANG Shuang CEN Yan |
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