磁性Gd3+离子对Chevrel相超导体PbMo6S8的临界电流和输运性质的影响 |
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作者姓名: | 郑东宁 林淑媛 倪泳明 D.P.Hampshire 赵忠贤 |
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作者单位: | 中国科学院物理研究所超导国家重点实验室,北京,100080;中国科学院物理研究所,北京,100080;Department of Physics, University of Durham, Durham DH1 3LE,UK |
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摘 要: | 采用高温固态反应和均衡热压方法相结合,我们制备了一系列Gd掺杂的Chevrel相GdxPb1-xMo6S8超导样品.为了研究掺入的磁性Gd3+离子对于磁通线的钉扎作用和对临界电流及其它性质的影响,我们系统地测量了样品的电阻率,热电势,比热和临界电流密度.同时,我们计算了磁性Gd3+离子与磁通线之间的相互作用和这种作用可能导致的磁通钉扎及对临界电流的影响,并与实验结果进行了比较.结果显示除非Gd3+离子的分布是非常不均匀的,Gd3+离子所引起的钉扎是不重要的.另一方面,热电势和电阻率等输运性质及比热的结果显示由于Gd3+取代了Pb2+使载流子浓度降低了.载流子浓度的降低进而引起其它超导参数如热力学临界场Bc的变化,导致钉扎势的减小,最终降低了临界电流.
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