| 3 in长波II类超晶格分子束外延工艺优化研究 |
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| 引用本文： | 胡雨农,邢伟荣,刘铭,周朋,李震,申晨.3 in长波II类超晶格分子束外延工艺优化研究[J].红外,2021,42(11):1-8. |
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| 作者姓名： | 胡雨农 邢伟荣 刘铭 周朋 李震 申晨 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,华北光电技术研究所,华北光电技术研究所,华北光电技术研究所,华北光电技术研究所,华北光电技术研究所 |
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| 摘 要： | 为提升大面阵II类超晶格红外探测器的性能、产量和材料质量，对3 in长波InAs/GaSb II类超晶格分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)生长工艺优化进行了研究。结合反射式高能电子衍射（Reflection High-Energy Electron Diffraction, RHEED）条纹研究了不同的去氧化层温度和生长温度对3 in外延片质量的影响。使用光学显微镜、原子力显微镜(Atomic Force Microscopy, AFM)、表面颗粒检测仪、白光干涉仪、高分辨X射线衍射仪（High-Resolution X-Ray Diffractometer, HRXRD）以及X射线衍射谱模拟分别对外延片的表面形貌、均匀性和晶格质量进行了表征。优化后外延片1 μm以上缺陷的密度为316 cm-2，粗糙度为0.37 nm，总厚度偏差(Total Thickness Variation, TTV)为19.6 μm，77 K下截止波长为9.98 μm。在2 in长波II类超晶格分子束外延生长工艺的基础上，研究了增大GaSb衬底尺寸后相应生长条件的变化情况。这对尺寸增大后III-V族分子束外延工艺条件的调整具有参考意义，也为锑基II类超晶格红外探测器的面阵规模、质量和产能提升奠定了基础。
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| 关 键 词： | 分子束外延 II类超晶格 3 in GaSb衬底 |
| 收稿时间： | 2021/7/1 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2021/7/19 0:00:00 |
Research on Optimization of Molecular Beam Epitaxy Process of Long-Wave Type-II Superlattice on 3-in Substrates |
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| Hu Yu Nong,Xing Wei Rong,Liu Ming,Zhou Peng,Li Zhen and Shen Chen.Research on Optimization of Molecular Beam Epitaxy Process of Long-Wave Type-II Superlattice on 3-in Substrates[J].Infrared,2021,42(11):1-8. |
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| Authors: | Hu Yu Nong Xing Wei Rong Liu Ming Zhou Peng Li Zhen and Shen Chen |
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| Institution: | North China Optoelectronics Research Institute,North China Optoelectronics Research Institute,North China Optoelectronics Research Institute,North China Optoelectronics Research Institute,North China Optoelectronics Research Institute,North China Optoelectronics Research Institute |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | molecular beam epitaxy type-II superlattice 3-in GaSb substrate |
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