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| 用液相外延法制备InSb(:Zn)n~ -p材料 | |
| 引用本文： | 吴长树,李炽.用液相外延法制备InSb(:Zn)n~ -p材料[J].物理,1982(3). |
| 作者姓名： | 吴长树 李炽 |
| 作者单位： | 昆明物理研究所 (吴长树)，昆明物理研究所(李炽) |
| 摘 要： | 宫尾、亘池等人1]采用滑动液相外延技术,在掺Ge的P型InSb衬底片上,生长重掺Te的 n 型外延层.由于n 层的简并所呈现的伯恩斯坦-莫斯(Burster-Moss)位移效应2,3],使入射光内3—5um大气窗口波段的红外部分能透过n 层而无损耗地抵达耗尽层和P型基片,在体内产生光生载流子而引起高 |
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