| 分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究 |
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| 引用本文： | 卢励吾,王占国.分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究[J].物理学报,2002,51(2):310-314. |
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| 作者姓名： | 卢励吾 王占国 |
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| 作者单位： | 卢励吾（中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083）
王占国（中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083）
C.L.Yang（香港科技大学物理系，香港九龙清水湾）
J.Wang （香港科技大学物理系，香港九龙清水湾）
Z.H.Ma（香港科技大学物理系，香港九龙清水湾）
I.K.Sou（香港科技大学物理系，香港九龙清水湾）
Weikun Ge（香港科技大学物理系，香港九龙清水湾） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60076008),国家重点基础研究发展项目(批准号:G2000683)和香港科技大学(批准号:HKUST6135/97P)资助的课题. |
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| 摘 要： | 分别应用光致发光、电容-电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为.光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理.两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据.电容-电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度(样品表面下约100nm处)大约是ZnSe量子点层的位置.深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的0.11eV,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致.
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| 关 键 词： | Ⅱ-Ⅵ半导体 自组织量子点 光、电特性 |
| 修稿时间： | 2001年5月30日 |
ptical and electrical characterizations of ZnSe self-organized quantum dots grown by molecular beam epitaxy |
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| C.L.Yang,J.Wang,Z.H.Ma,I.K.Sou,Weikun Ge.ptical and electrical characterizations of ZnSe self-organized quantum dots grown by molecular beam epitaxy[J].Acta Physica Sinica,2002,51(2):310-314. |
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| Authors: | CLYang JWang ZHMa IKSou Weikun Ge |
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| Abstract: | |
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