| X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算 |
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| 引用本文： | 牟维兵,陈盘训.X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算[J].强激光与粒子束,2001,13(1):15-18. |
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| 作者姓名： | 牟维兵 陈盘训 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院 核物理与化学研究所，四川 绵阳 621900；中国工程物理研究院 应用电子学研究所， 四川 绵阳 621900 |
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| 基金项目： | 国防科工委基金资助课题 |
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| 摘 要： | 当X射线射入不同材料组成的界面时, 在低Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理, 并用MCNP蒙特-卡洛程序计算了钨-二氧化硅、钽-二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在X射线能量为100~150keV时，界面附近二氧化硅一侧存在较大的剂量增强。
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| 关 键 词： | X射线 界面 辐射损伤 剂量增强因子 |
| 文章编号： | 1001—4322（2001）01—0015—04 |
| 收稿时间： | 2000/3/9 |
| 修稿时间： | 2000年3月9日 |
Simulative calculation of the dose enhancement factor of W-SiO_2 and Ta-SiO_2 interface |
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| MU Wei-bing,Chen Pan-xun.Simulative calculation of the dose enhancement factor of W-SiO_2 and Ta-SiO_2 interface[J].High Power Laser and Particle Beams,2001,13(1):15-18. |
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| Authors: | MU Wei-bing Chen Pan-xun |
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| Institution: | 1.Institute of Nuclear Physics and Chemistry, CAEP, P.O.BOX 919-213, Mianyang 621900, China;2 Institute of Nuclear Physics and Chemistry, CAEP, P.O.BOX 919-1002, Mianyang 621900, China |
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| Abstract: | The dose would be enhanced in low Z material when X-ray enters the interface which is constructed with different materials. The mechanic of dose enhancement is introduced in this article, and the dose enhancement factors of W-SiO2. Ta-SiO2 interface are calculated in the article. The calcuated results demonstrate that there exits stronger dose-enhancement in the SiO2 side near the interface when the energy of X-ray is between 100keV and 150keV. |
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| Keywords: | X-ray interface radiation impairment dose-enhancement-factor |
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