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| 利用马吕斯定律研究GaN基激光二极管的偏振特性 | |
| 引用本文： | 冯列峰,刘京津,程利艳.利用马吕斯定律研究GaN基激光二极管的偏振特性[J].大学物理,2018(8). |
| 作者姓名： | 冯列峰 刘京津 程利艳 |
| 作者单位： | 天津大学理学院物理系物理实验中心 |
| 摘 要： | 利用马吕斯定律,通过自建实验平台精确研究了GaN基半导体激光器的偏振特性.实验结果表明:激射阈值之后(30mA以上),GaN基半导体激光器的发光具有较高的偏振度,其偏振度接近于1;远低于阈值的5mA处,其偏振度接近于0.70,在阈值前的27mA处,其偏振度已经接近0.93.这表明在远低于激射阈值的电流区间,GaN基半导体激光器的发光中不仅存在不具有偏振度的自发辐射发光,而且还存在具有和阈值后同偏振方向的线偏振光,且线偏振光的占比较大. |
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