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单层与多层MoS_2对Goos-Hnchen位移的调制
引用本文:贾光一,霍亦琦,刘玉环,张雪花.单层与多层MoS_2对Goos-Hnchen位移的调制[J].大学物理,2018(5).
作者姓名:贾光一  霍亦琦  刘玉环  张雪花
作者单位:天津商业大学理学院物理系
摘    要:单层与多层MoS_2是一种新型的类石墨烯二维材料,其层数依赖的介电常数使其具有诸多可调的光学性质.本文借助于传输矩阵理论,根据反射系数的相位角推导计算了Al_2O_3/MoS_2/空气结构中的Goos-Hnchen(GH)位移,并分析了单层与多层MoS_2对GH位移的影响.研究结果表明,在不同的入射角范围内,GH位移随MoS_2层数的变化表现出不同的依赖行为.

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