单层与多层MoS_2对Goos-Hnchen位移的调制 |
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引用本文: | 贾光一,霍亦琦,刘玉环,张雪花.单层与多层MoS_2对Goos-Hnchen位移的调制[J].大学物理,2018(5). |
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作者姓名: | 贾光一 霍亦琦 刘玉环 张雪花 |
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作者单位: | 天津商业大学理学院物理系 |
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摘 要: | 单层与多层MoS_2是一种新型的类石墨烯二维材料,其层数依赖的介电常数使其具有诸多可调的光学性质.本文借助于传输矩阵理论,根据反射系数的相位角推导计算了Al_2O_3/MoS_2/空气结构中的Goos-Hnchen(GH)位移,并分析了单层与多层MoS_2对GH位移的影响.研究结果表明,在不同的入射角范围内,GH位移随MoS_2层数的变化表现出不同的依赖行为.
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