| Si掺杂对GaAs纳米线发光特性的影响EI北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 李想,亢玉彬,唐吉龙,方铉,房丹,李科学,王登魁,林逢源,楚学影,魏志鹏.Si掺杂对GaAs纳米线发光特性的影响EI北大核心CSCD[J].发光学报,2021(5):629-634. |
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| 作者姓名： | 李想 亢玉彬 唐吉龙 方铉 房丹 李科学 王登魁 林逢源 楚学影 魏志鹏 |
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| 作者单位： | 1.长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室130022;2.长春理工大学理学院130022; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61674021,11674038,61704011,61904017,11804335,12074045)；吉林省教育厅项目(JJKH20200763KJ)资助。 |
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| 摘 要： | 采用分子束外延技术(MBE)在Si(111)衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓(GaAs)纳米线(NWs)。通过扫描电子显微镜(SEM)证实了生长样品的一维性;通过X射线衍射(XRD)测试和拉曼光谱(Raman)证实了掺杂GaAs纳米线中Si的存在;通过光致发光(PL)研究了非掺杂和Si掺杂GaAs纳米线的发光来源,掺杂改变了GaAs纳米线的辐射复合机制。掺杂导致非掺杂纳米线中自由激子发光峰和纤锌矿/闪锌矿(WZ/ZB)混相结构引起的缺陷发光峰消失。
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| 关 键 词： | 光谱学 GaAs纳米线 Si掺杂 光致发光 分子束外延 |
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