| 静电场对强激光场非序列双电子电离的影响 |
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| 引用本文： | 李洪云,王兵兵,蒋红兵,陈 京,李晓峰,刘 杰,龚旗煌,傅盘铭.静电场对强激光场非序列双电子电离的影响[J].中国物理 B,2008,17(1):124-131. |
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| 作者姓名： | 李洪云 王兵兵 蒋红兵 陈 京 李晓峰 刘 杰 龚旗煌 傅盘铭 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京 100871;中国科学院物理研究所光物理实验室，北京 100080;北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京 100871;应用物理与计算数学研究所非线性研究中心，北京 100088;北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京 100871;应用物理与计算数学研究所非线性研究中心，北京 100088;北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京 100871;中国科学院物理研究所光物理实验室，北京 100080 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号： 60478031， 10634020和10521002)及国家重点基础研究发展计划(批准号：2006CB806000，2006CB806007)资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用半经典重碰模型计算并研究了He原子在强激光场与静电场的混合场下的非序列双电子电离过程. 由于静电场破坏了激光场电场的反演对称性，在平行于激光场偏振方向的He2+离子动量分布不再具有对称双峰结构. 由于超短脉冲具有相似的非对称性，研究静电场对原子在强场中非序列电离的影响，有助于分析超短脉冲非序列电离的过程，进一步了解非序列双电子电离的机理.
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| 关 键 词： | 非序列双电离， 静电场 重碰 非对称性场 |
The effect of static electric field on nonsequential double ionization |
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| Li Hong-Yun,Wang Bing-Bing,Jiang Hong-Bing,Chen Jing,Li Xiao-Feng,Liu Jie,Gong Qi-Huang and Fu Pan-Ming.The effect of static electric field on nonsequential double ionization[J].Chinese Physics B,2008,17(1):124-131. |
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| Authors: | Li Hong-Yun Wang Bing-Bing Jiang Hong-Bing Chen Jing Li Xiao-Feng Liu Jie Gong Qi-Huang and Fu Pan-Ming |
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| Abstract: | Nonsequential double ionization of He atom in the combined field of a laser and a static electric field has been investigated. It is found that the presence of the static electric field breaks the inversion and reflection symmetry, the symmetric double-peak structure of the He2+ ion momentum parallel to the polarization of the laser field is broken. Since the ultrashort laser pulse has the similar asymmetric character, this study is helpful to understand the mechanism of the double ionization process in ultrashort laser field. |
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| Keywords: | nonsequential double ionization static electric field rescattering asymmetric field |
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