| SOI SiGe HBT电学性能研究 |
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| 引用本文： | 张滨,杨银堂,李跃进,徐小波.SOI SiGe HBT电学性能研究[J].物理学报,2012,61(23):535-543. |
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| 作者姓名： | 张滨 杨银堂 李跃进 徐小波 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安710071 |
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| 基金项目： | 国家部委预研基金项目( |
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| 摘 要： | 研究了SOI衬底上SiGe npn异质结晶体管的设计优化.给出了器件基本直流交流特性曲线,分析了与常规SiGeHBT的不同.由于SOI衬底的引入使SOI SiGe HBT成为四端器件,重点研究了衬底偏压对Gummel曲线、输出特性曲线以及雪崩电流的影响.最后仿真实现材料物理参数和几何物理参数对频率特性的改变.结果表明SOI SiGeHBT与常规器件相比具有更大的设计自由度.SOI SiGe HBT的系统分析为毫米波SOI SiGe BiCMOS电路的设计提供了有价值的参考.
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| 关 键 词： | SiGe HBT SOI 电学性能 |
Electrical behavior research of silicon-on-insulator SiGe heterojunction bipolar transistor |
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| Zhang Bin Yang Yin-Tang Li Yue-Jin Xu Xiao-Bo.Electrical behavior research of silicon-on-insulator SiGe heterojunction bipolar transistor[J].Acta Physica Sinica,2012,61(23):535-543. |
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| Authors: | Zhang Bin Yang Yin-Tang Li Yue-Jin Xu Xiao-Bo |
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| Institution: | Zhang Bin Yang Yin-Tang Li Yue-Jin Xu Xiao-Bo (Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics,Xidian University,Xi’an 710071,China) |
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| Keywords: | SiGe HBT SOI electrical performance |
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