| 应变Ge空穴有效质量的各向异性与各向同性 |
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| 引用本文： | 戴显英,杨程,宋建军,张鹤鸣,郝跃,郑若川. 应变Ge空穴有效质量的各向异性与各向同性[J]. 物理学报, 2012, 61(23): 404-409 |
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| 作者姓名： | 戴显英 杨程 宋建军 张鹤鸣 郝跃 郑若川 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带隙半导体技术国家重点实验室,西安710071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划( |
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| 摘 要： | 在利用k·p微扰理论获得应变Ge/Si1-xGex价带E（k）-k关系的基础上,研究得到了（001）,（101）,（111）面应变Ge/Si1-xGex沿不同晶向及各向同性的价带空穴有效质量.结果显示,应变Ge/Si1-xGex沿各晶向的带边有效质量随应力增大而减小,且沿[010]晶向最小;子带空穴有效质量在应力较大时变化不明显,并且在数值上与带边空穴有效质量相差不大.最后利用各向同性有效质量与文献结果进行比对,验证了结果的正确性.
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| 关 键 词： | 应变Ge/Si1-xGex 空穴有效质量 价带结构各向异性与各向同性 |
Anisotropy and isotropy of hole effective mass of strained Ge |
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| Dai Xian-Ying Yang Cheng Song Jian-Jun Zhang He-Ming Hao Yue Zheng Ruo-Chuan. Anisotropy and isotropy of hole effective mass of strained Ge[J]. Acta Physica Sinica, 2012, 61(23): 404-409 |
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| Authors: | Dai Xian-Ying Yang Cheng Song Jian-Jun Zhang He-Ming Hao Yue Zheng Ruo-Chuan |
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| Affiliation: | Dai Xian-Ying Yang Cheng Song Jian-Jun Zhang He-Ming Hao Yue Zheng Ruo-Chuan (School of Microelectronic,State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University,Xi’an 710071,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | strained Ge/Si1_xGex the hole effective mass valence-band structure anisotropy and isotropy |
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