| 纳米硅(nc-Si:H )/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池的数值模拟分析 |
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| 作者姓名： | 胡志华 廖显伯 曾湘波 徐艳月 张世斌 刁宏伟 孔光临 |
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| 作者单位： | (1)中国科学院半导体研究所,凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京 100083; (2)中国科学院半导体研究所,凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京 100083;云南师范大学太阳能研究所,昆明 650092 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划（973）（批准号：G2000028201）资助的课题. |
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| 摘 要： | 运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟分析了n-型纳米硅（n+-nc-Si:H）/p-型晶体硅(p-c-Si)异质结太阳电池的光伏特性.分析表明,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压（VOC）和填充因子（FF）,而电池的光谱响应或短路电流密度（JSC）对缓冲层的厚度较为敏感.对不同能带补偿（bandgap offset）的情况所进行的模拟分析表明,随着ΔEc的增大,由于界面态所带来的开路电压和填充因子的减小逐渐被消除,当ΔEc达到05eV左右时界面态的影响几乎完全被掩盖.界面层的其他能带结构特征对器件性能的影响还有待进一步研究.最后计算得到了这种电池理想情况下（无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1）的理论极限效率ηmax=3117% (AM15,100mW/cm2,040—110μm波段).
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| 关 键 词： | nc-Si:H/c-Si异质结 太阳电池 计算机模拟 |
| 收稿时间： | 2002-05-14 |
| 修稿时间： | 2002-05-14 |
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