| 飞秒与纳秒激光刻蚀单晶硅对比研究 |
| |
| 引用本文： | 杨焕,黄珊,段军,杜敏.飞秒与纳秒激光刻蚀单晶硅对比研究[J].中国激光,2013(1):95-100. |
| |
| 作者姓名： | 杨焕 黄珊 段军 杜敏 |
| |
| 作者单位： | 华中科技大学光电子科学与工程学院武汉光电国家实验室 |
| |
| 基金项目： | 国家863计划(2011AA030208);国家自然科学基金重点项目(51135005)和国家自然科学基金(51005083)资助课题 |
| |
| 摘 要： | 采用输出功率8W的355nm Nd∶YVO4纳秒激光器和3W的1030nm飞秒激光器对0.4mm的单晶硅的刻蚀进行了对比研究,研究了激光的单脉冲能量密度,脉冲宽度,脉冲耦合率等参数对加工质量和精度的影响。实验结果表明,飞秒激光加工的热效应要小于紫外纳秒激光,同时飞秒脉冲产生了纳米条纹,但随着加工次数的增加,纳米条纹也直接导致了不规则裂纹的产生。这说明飞秒激光的加工优越性也是有条件的,当需要对材料进行大量去除之类的加工时,成本相对较低的紫外纳秒激光可能更为适合。
|
| 关 键 词： | 激光技术 激光微加工 355nm纳秒激光 1030nm飞秒激光 单晶硅 纳米条纹 |
Contrastive Study on Laser Ablation of Single-Crystal Silicon by 1030 nm Femtosecond Laser and 355 nm Nanosecond Laser |
| |
| Yang Huan Huang Shan Duan Jun Du Min.Contrastive Study on Laser Ablation of Single-Crystal Silicon by 1030 nm Femtosecond Laser and 355 nm Nanosecond Laser[J].Chinese Journal of Lasers,2013(1):95-100. |
| |
| Authors: | Yang Huan Huang Shan Duan Jun Du Min |
| |
| Institution: | Yang Huan Huang Shan Duan Jun Du Min(Wuhan National Laboratory for Optoelectronics,College of Optoelectronics Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,Hubei 430074,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
