| 中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 刘青明,卢太平,朱亚丹,韩丹,董海亮,尚林,赵广洲,赵晨,周小润.中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响[J].发光学报,2016(7):829-835. |
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| 作者姓名： | 刘青明 卢太平 朱亚丹 韩丹 董海亮 尚林 赵广洲 赵晨 周小润 |
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| 作者单位： | 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室,山西太原030024;太原理工大学新材料工程技术研究中心,山西太原030024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(21471111;61504090)，山西省基础研究项目(2014011016-6;2015021103)，电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题(KFJJ201406)，山西省科技创新重点团队项目(2012041011)，山西省高等学校科技创新项目(2015131)，浙江省重点科技创新团队(2011R50012)，浙江省重点实验室项目(2013E10022) |
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| 摘 要： | 利用金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响。利用芯片测试仪和原子力显微镜(AFM)表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面形貌。当中高温GaN插入层厚度从60 nm增加至100 nm时,V形坑尺寸从70~110 nm增加至110~150 nm。当注入电流为20 mA时,LED芯片的光功率从21.9 mW增加至24.1mW;当注入电流为120 mA时,LED芯片的光功率从72.4 mW增加至82.4 mW。对V形坑尺寸调控LED光电性能的相关物理机制进行了分析,结果表明:增大V形坑尺寸有利于增加空穴注入面积和注入效率,进而提高LED器件的光功率。
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| 关 键 词： | 氮化镓 LED V形坑 空穴注入效率 |
Effect of Medium-high Temperature Interlayer Thickness on The Optical and Electrical Properties of Blue Light Emitting Diodes |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN LED V-pits hole injection efficiency |
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