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掺杂石墨烯量子点对P3HT:PCBM太阳能电池性能的影响
引用本文:邹凤君,范思大,谢强,孙洋,孙丽晶,李占国,王丽娟.掺杂石墨烯量子点对P3HT:PCBM太阳能电池性能的影响[J].发光学报,2016,37(9):1082-1089.
作者姓名:邹凤君  范思大  谢强  孙洋  孙丽晶  李占国  王丽娟
作者单位:1. 长春工业大学 化学工程学院, 吉林 长春 130012; 2. 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022; 3. 长春工业大学 基础科学学院, 吉林 长春 130012
基金项目:国家自然科学基金(21403016);吉林省教育厅项目(2016326)
摘    要:为研究掺杂石墨烯量子点(GQDs)对聚合物电池的影响,采用溶剂热法制备了GQDs,掺杂到聚3-己基噻吩和富勒烯衍生物(P3HT∶PCBM)中作光敏层制备了聚合物太阳能电池。掺杂不同浓度的GQDs后,聚合物电池的开路电压和填充因子都比未掺杂器件高。GQDs掺杂质量分数为0.15%时,形成的掺杂薄膜平整、均匀,填充因子提高了17.42%。GQDs经还原后,随还原时间的延长,填充因子FF增大。到45 min时,电池的FF基本稳定,从31.57%提高至40.80%,提高了29.24%。退火后,获得了最佳的掺杂GQDs的聚合物太阳能电池,开路电压Voc为0.54 V,填充因子FF为55.56%,光电转换效率为0.75%。

关 键 词:氧化石墨烯  石墨烯量子点  掺杂  P3HT:PCBM  聚合物太阳能电池
收稿时间:2016-04-08
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