| 电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究 |
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| 作者姓名： | 武大猷 文林 汪朝敏 何承发 郭旗 李豫东 曾俊哲 汪波 刘元 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 中国科学院 新疆理化技术研究所, 新疆 乌鲁木齐 830011;2. 中国科学院大学, 北京 100049;3. 重庆光电技术研究所, 重庆 400060 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11005152)，中国科学院“西部之光”人才培养计划重点项目“CCD的空间位移损伤效应及评估技术研究”资助 |
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| 摘 要： | 对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势;暗场像素灰度值整体抬升,像元之间的差异显著增加;电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性,器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为,剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。
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| 关 键 词： | 电荷耦合器件 暗信号 低剂量率损伤增强效应 暗场像素统计 |
| 收稿时间： | 2016-02-03 |
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