| 非简并p型Hgi-xMnxTe单晶（z〉0.17）的负磁电阻机理研究 |
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| 引用本文： | 朱亮清,林铁,郭少令,褚君浩.非简并p型Hgi-xMnxTe单晶（z〉0.17）的负磁电阻机理研究[J].物理学报,2012,61(8). |
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| 作者姓名： | 朱亮清 林铁 郭少令 褚君浩 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划，国家自然科学基金( |
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| 摘 要： | 研究磁性半导体中负磁电阻产生机理对正确理解载流子与磁性离子间的sp．d磁交换作用是非常重要的．通过变温（10-300K）磁输运和变温（5-300K）磁化率实验研究了一系列不同Mn含量非简并P型Hgl-xMn。Te单晶佃〉0．17）的负磁电阻和顺磁增强效应．实验结果表明其负磁电阻与温度的关系和磁化率与温度的关系基本一致，两者都包含一个呈指数型变化的温度函数exp（-K／T）．根据磁性半导体的杂质能级理论，非简并P型H譬1-xMnxTe单晶在低磁场范围内出现负磁电阻效应的主要物理机理为外磁场的磁化效应使得受主杂质或受主型束缚磁极化子的有效电离能减小．
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| 关 键 词： | 磁性半导体 负磁电阻 顺磁增强 白旋分裂 |
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