适于宽带放大器应用的GaAs MESFET设计和微波性能

本文讨论适于宽带应用的微波低噪声GaAs MESFET的设计理论,并在4GHz下,计算了器件最小噪声系数、最小噪声源电阻、最小噪声源电抗和等效噪声电阻,讨论了器件的微波性能,并应用计算机辅助设计计算出器件的S参数。