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| 辐照材料的肿胀理论(Ⅱ) 偏吸率与肿胀公式 | |
| 引用本文： | 朱慧珑.辐照材料的肿胀理论(Ⅱ) 偏吸率与肿胀公式[J].物理学报,1989(9). |
| 作者姓名： | 朱慧珑 |
| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所 |
| 摘 要： | 本文用分区的方法,得到了在同时计及位错应力场和辐照效应的情况下,位错周围点缺陷分布函数的零级、一级和二级近似解,进而得到了偏吸率。利用所得的偏吸率及文献1]的结果,给出了新的肿胀公式。新公式优于前人的理论,不仅理论本身自洽,而且与实验符合较好。 |
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