| MOCVD生长GaN的喇曼散射谱 |
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| 引用本文： | 童玉珍,张国义,徐自亮,党小忠,王晶晶,金泗轩,王舒民,刘弘度.MOCVD生长GaN的喇曼散射谱[J].红外与毫米波学报,1996,15(1). |
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| 作者姓名： | 童玉珍 张国义 徐自亮 党小忠 王晶晶 金泗轩 王舒民 刘弘度 |
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| 作者单位： | 北京大学物理系，介观物理国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 对在ＧａＡｓ（００１）、Ａｌ２Ｏ３（０００１）和Ｓｉ（１１１）等衬底上ＭＯＣＶＤ技术生长的ＧａＮ薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较，观察到了α相ＧａＮ的Ａ１（ＬＯ）模、Ａ１（ＴＯ）模、Ｅ１（ＬＯ）模和Ｅ２模．结合Ｘ射线衍射谱，分析了因不同生长工艺导致ＧａＮ／ＧａＡｓ样品的不同结构相的喇曼谱的差异，发现ＧａＮ的喇曼谱与ＧａＮ外延层的结构相、完整性及工艺条件有关，可利用其作为检测ＧａＮ外延层结构特性的一种有用手段．对含有少量β相ＧａＮ样品，观测到了包含有β相ＧａＮ贡献的声子模式（７４０ｃｍ－１）．
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| 关 键 词： | GaN，喇曼散射，MOCVD，GaAs． |
RAMAN SCATTERING SPECTRA OF GaN GROWN BY MOCVD |
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| Tong Yuzhen,Zhang Guoyi,Xu Ziliang,Dang Xiaozhong,Wang Jingjing,Jing Sixuan,Wang Shumin,Liu Hongdu.RAMAN SCATTERING SPECTRA OF GaN GROWN BY MOCVD[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,1996,15(1). |
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| Authors: | Tong Yuzhen Zhang Guoyi Xu Ziliang Dang Xiaozhong Wang Jingjing Jing Sixuan Wang Shumin Liu Hongdu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN Raman scattering MOCVD GaAs |
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