| AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究 |
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| 引用本文： | 张浩,吕长志,朱修殿,徐立国,杨集.AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究[J].微电子学与计算机,2005,22(11):7-9. |
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| 作者姓名： | 张浩 吕长志 朱修殿 徐立国 杨集 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性物理研究室,北京,100022 |
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| 摘 要： | 研究了20℃～-70℃栅宽为100μm、栅长为1μm的AlGaN/GaN HEMT的直流特性.随温度降低，电子迁移率增大，而二维电子气密度基本不变，HEMT饱和漏电流IDsat增大;阈值电压低温时有所下降，在一定温度范围内变化不明显，其原因除栅肖特基势垒高度、AlGaN/GaN导带差发生变化外，还可能与器件制备工艺和源极串联电阻有关。
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT 低温特性 饱和漏极电流 阈值电压 |
| 文章编号： | 1000-7180(2005)11-007-03 |
| 修稿时间： | 2005年3月28日 |
The Low Temperature DC Characteristics of AlGaN/GaN HEMT |
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| ZHANG Hao,LV Chang-zhi,ZHU Xiu-dian,XU Li-guo,YANG Ji.The Low Temperature DC Characteristics of AlGaN/GaN HEMT[J].Microelectronics & Computer,2005,22(11):7-9. |
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| Authors: | ZHANG Hao LV Chang-zhi ZHU Xiu-dian XU Li-guo YANG Ji |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT Low temperature characteristic Saturation drain current Threshold voltage |
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