| CMOS电路参数的统计优化设计 |
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| 引用本文： | 甘学温,冯小敏,肖志广,杜刚,李佑斌.CMOS电路参数的统计优化设计[J].电子学报,1999,27(5):126-128. |
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| 作者姓名： | 甘学温 冯小敏 肖志广 杜刚 李佑斌 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
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| 摘 要： | 本文提出了一种用实验设计与模拟相结合对ＣＭＯＳ集成电路参数进行统计优化设计的方法，分析工艺因素设置及其起伏对电路参数的影响，建立起电路参数相对主要工艺因素变化的宏模型，并且模型公式找出使电路参数在预期值附近且偏差最小的优化工艺条件。
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| 关 键 词： | 实验设计 工艺因素 阈值电压 优化设计 |
The Statistical Optimising Design of CMOS IC Parameter |
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| Gan Xuewen,Feng Xiaomin,Xiao Zhiguang,Du Gang,Li Youbin.The Statistical Optimising Design of CMOS IC Parameter[J].Acta Electronica Sinica,1999,27(5):126-128. |
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| Authors: | Gan Xuewen Feng Xiaomin Xiao Zhiguang Du Gang Li Youbin |
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| Institution: | Gan Xuewen,Feng Xiaomin,Xiao
Zhiguang,Du Gang,Li Youbin;
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Experimental design Process factors Threshold voltage Optimising design |
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