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| 砷化镓外延生长技术 | |
| 作者姓名： | 土居功年 平尾元尚 张学书 |
| 摘 要： | 具有代表性的化合物半导体的薄膜生长技术包括有利用歧化反应的汽相生长;有利用金属溶液的液相外延。然而现已发明了除了适应于Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体之外,甚至于还包括固溶体在内的各种材料的种种应用技术。本文以砷化镓为中心,叙述汽相及液相技术的最近动态和存在的问题。从器件应用的角度看,外延技术存在的问题有:(1)晶体的纯度,(2)生长层界面的控制,(3)外延层的厚度控制,(4)载流子浓度控制,(5)多层生长技术等。当前, |
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