| (GaN)n/(AlN)n应变层超晶格的电子结构 |
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| 引用本文： | 王新华,王玲玲,王怀玉,邓辉球,黄维清.(GaN)n/(AlN)n应变层超晶格的电子结构[J].半导体学报,2005,26(10):1934-1938. |
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| 作者姓名： | 王新华 王玲玲 王怀玉 邓辉球 黄维清 |
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| 作者单位： | 湖南大学应用物理系 长沙410082
(王新华，王玲玲，邓辉球)，清华大学物理系 北京100086
(王怀玉)，湖南大学应用物理系 长沙410082(黄维清) |
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| 摘 要： | 以Free-Standing条件生长的超晶格原胞为计算模型，运用LCAO-Recursion方法研究了(GaN)n/(AlN)n (001)应变层超晶格的电子结构. 由计算结果分析了GaN/AlN应变层超晶格中Ga, Al和N之间的成键情况及其带隙Eg随超晶格层数n的变化趋势；当超晶格中存在空位时，带隙中将形成缺陷能级. 最后分析了在超晶格中引入Mg掺杂后对超晶格电子结构的影响.
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| 关 键 词： | Recursion方法 (GaN)n/(AlN)n 应变层超晶格 电子结构 缺陷能级 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）10-1934-05 |
| 收稿时间： | 2004-06-23 |
| 修稿时间： | 2005-03-14 |
Electronic Structure of (GaN) n/(AlN) n Strained-Layer Superlattice |
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| Wang Xinhua,Wang Lingling,Wang Huaiyu,Deng Huiqiu,Huang Weiqing.Electronic Structure of (GaN) n/(AlN) n Strained-Layer Superlattice[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(10):1934-1938. |
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| Authors: | Wang Xinhua Wang Lingling Wang Huaiyu Deng Huiqiu Huang Weiqing |
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| Institution: | 1 Departmentof Applied Physics, Hunan University, Changsha 410082, China;2 Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100086, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Recursion method (GaN)_n/(AlN)_n strained-layer superlattice electronic structure defect energy level |
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