质子射频场照射对碳—13自旋晶格弛豫的影响 |
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引用本文: | 周进元,傅日强,等.质子射频场照射对碳—13自旋晶格弛豫的影响[J].化学物理学报,1995,8(1):10-17. |
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作者姓名: | 周进元 傅日强 等 |
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摘 要: | 用推广的Solomon方程描述了^1H通道加上射频场的^13C自旋晶格弛豫,分析表明在^1H射频照射下^13C自旋晶格弛豫通常是一个三指数过程,但是在一些实验条件下可以变为单指数的;数值计算给出了满足T1^c<T1^H和满足T1^c>T1^H的^13C自旋晶格弛豫过程的明显差别,并显示了不同射频场强度的影响,实验观测了固体L-缬氨酸的甲基^13C自旋晶格弛豫,所得结果与理论分析很好符合。
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关 键 词: | 碳13 自旋晶格弛豫 质子射频场 |
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