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脉冲激光沉积法生长Zn1-xMgxO薄膜
引用本文:邹璐,叶志镇,黄靖云,赵炳辉.脉冲激光沉积法生长Zn1-xMgxO薄膜[J].半导体学报,2002,23(12):1291-1294.
作者姓名:邹璐  叶志镇  黄靖云  赵炳辉
作者单位:浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划);G2000068306;
摘    要:采用脉冲激光沉积法,生长出没有组分偏析,晶体质量好的Zn1-xMgxO薄膜(x=0.2).研究了衬底温度对Zn0.8Mg0.2O薄膜晶体质量、晶粒度大小的影响,发现最佳衬底温度为650℃左右.对Zn0.8Mg0.2O薄膜进行了光致发光分析,发现相对ZnO晶体有0.4eV的蓝移.

关 键 词:Zn1-xMgxO薄膜  合金  X射线衍射  PL谱
文章编号:0253-4177(2002)12-1291-04
修稿时间:2002年3月10日

Growth of Zn1-xMgxO Films by Pulsed Laser Deposition
Zou Lu,Ye Zhizhen,Huang Jingyun and Zhao Binghui.Growth of Zn1-xMgxO Films by Pulsed Laser Deposition[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(12):1291-1294.
Authors:Zou Lu  Ye Zhizhen  Huang Jingyun and Zhao Binghui
Abstract:
Keywords:Zn      1-x    Mg    x  O thin film  alloy  X  ray diffraction  PL spectrum
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