| 基于MOCVD再生长n+ GaN 欧姆接触工艺fT/fmax＞150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究 |
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| 引用本文： | 吕元杰,冯志红,宋旭波,张志荣,谭鑫,郭红雨,房玉龙,周幸叶,蔡树军.基于MOCVD再生长n+ GaN 欧姆接触工艺fT/fmax＞150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究[J].红外与毫米波学报,2016,35(5):534-538. |
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| 作者姓名： | 吕元杰 冯志红 宋旭波 张志荣 谭鑫 郭红雨 房玉龙 周幸叶 蔡树军 |
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| 作者单位： | 河北半导体研究所,河北半导体研究所,河北半导体研究所,河北半导体研究所,河北半导体研究所,河北半导体研究所,河北半导体研究所,河北半导体研究所,河北半导体研究所 |
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| 摘 要： | 基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+ GaN 欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小, 有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外, 采用自对准工艺制备了60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小, 在Vgs=2 V下, 器件最大饱和电流(Ids)达到2.0 A/mm, 该值为AlGaN/GaN HFETs器件直流测试下的最高值, 器件峰值跨导达到608 mS/mm.小信号测试表明, 器件fT和fmax最高值分别达到152 GHz和219 GHz.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管 电流增益截止频率 最大振荡频率 再生长欧姆接触 |
| 收稿时间： | 1/2/2016 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 2016/2/13 0:00:00 |
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