(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减 |
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引用本文: | 张振中,申德振,张吉英,单崇新,张立功,杨春雷,吕有明,刘益春,范希武.(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减[J].发光学报,2003,24(3):257-260. |
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作者姓名: | 张振中 申德振 张吉英 单崇新 张立功 杨春雷 吕有明 刘益春 范希武 |
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作者单位: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130022 |
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基金项目: | 国家攀登计划,国家自然科学重大基金(69896260),国家自然科学基金(60077015),中科院百人计划,中科院创新工程资助项目 |
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摘 要: | 为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来。用泵浦-探测方法,采用反射式光路测量了该复合结构中CdZnTe/ZnTe量子阱的激子衰减。单指数衰减拟合给690fs的下降沿时间。
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关 键 词: | 低维半导体结构 超快速激子衰减 (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱 泵浦-探测 光开关 全光计算机 |
文章编号: | 1000-7032(2003)03-0257-04 |
Ultra-fast Excitonic Decay in (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe Complex Quantum Wells |
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Abstract: | |
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Keywords: | (CdZnTe ZnSeTe)/ZnTe complex quantum wells exciton decay pump-probe |
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