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(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减
引用本文:张振中,申德振,张吉英,单崇新,张立功,杨春雷,吕有明,刘益春,范希武.(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减[J].发光学报,2003,24(3):257-260.
作者姓名:张振中  申德振  张吉英  单崇新  张立功  杨春雷  吕有明  刘益春  范希武
作者单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130022
基金项目:国家攀登计划,国家自然科学重大基金(69896260),国家自然科学基金(60077015),中科院百人计划,中科院创新工程资助项目
摘    要:为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来。用泵浦-探测方法,采用反射式光路测量了该复合结构中CdZnTe/ZnTe量子阱的激子衰减。单指数衰减拟合给690fs的下降沿时间。

关 键 词:低维半导体结构  超快速激子衰减  (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱  泵浦-探测  光开关  全光计算机
文章编号:1000-7032(2003)03-0257-04

Ultra-fast Excitonic Decay in (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe Complex Quantum Wells
Abstract:
Keywords:(CdZnTe  ZnSeTe)/ZnTe complex quantum wells  exciton decay  pump-probe
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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