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β-Si3N4电子结构和红外和拉曼频率的第一性原理研究
引用本文:朱应涛,杨传路,王美山,董永绵.β-Si3N4电子结构和红外和拉曼频率的第一性原理研究[J].物理学报,2008,57(2):1048-1053.
作者姓名:朱应涛  杨传路  王美山  董永绵
作者单位:鲁东大学物理与电子工程学院,烟台 264025
基金项目:国家自然科学基金(批准号:10674114)资助的课题.
摘    要:分别用PW91,B3LYP两种密度泛函方法和全电子高斯基组对β-Si3N4的几何结构进行全优化(包括晶格参数和原子坐标),结果和实验值符合良好. 同时计算了能带结构和态密度.在此基础上分别用上述两种方法计算了Γ点拉曼振动频率,并按对称性进行分类,将得到的11种拉曼活性模式的频率值与实验值以及其他文献值进行了比较,进一步确定了Ag模式为中等频率,值约459cm-1. 计算结果表明 关键词: 振动频率 密度泛函理论 电子结构 3N4')" href="#">β-Si3N4

关 键 词:振动频率  密度泛函理论  电子结构  β-Si3N4
文章编号:1000-3290/2008/57(02)/1048-06
收稿时间:2007-04-24
修稿时间:2007-07-18
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