平面型2.6μm InGaAs 红外探测器变温特性研究 |
| |
引用本文: | 李永富,唐恒敬,张可峰,李淘,宁锦华,李雪,龚海梅.平面型2.6μm InGaAs 红外探测器变温特性研究[J].激光与红外,2009,39(6):612-617. |
| |
作者姓名: | 李永富 唐恒敬 张可峰 李淘 宁锦华 李雪 龚海梅 |
| |
作者单位: | 1. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039 2. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金重点项目,中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目 |
| |
摘 要: | 通过闭管扩散方式,在NIN型InP/In0.82Ga0.18As/InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件,研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性。研究表明,不同温度下,在较低的偏压下,器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生-复合电流,随着电压增大,器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和。在近室温(>250 K)下,器件的反向电流主要以扩散电流和产生-复合电流为主,随着温度降低(<158 K),与偏压成正比的隧穿电流将占优势。温度>158 K时,器件的R
|
关 键 词: | InGaAs红外探测器 产生-复合电流 隧穿电流 暗电流 优值因子 峰值探测率 |
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录! |
| 点击此处可从《激光与红外》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《激光与红外》下载免费的PDF全文 |
|