| Ⅱ-Ⅵ族化合物(Hg_(1-x)Cd_xTe)非晶薄膜的半导体性质 |
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| 引用本文： | 曹宝成,刘明,戴国才.Ⅱ-Ⅵ族化合物(Hg_(1-x)Cd_xTe)非晶薄膜的半导体性质[J].半导体学报,1990,11(7):527-532. |
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| 作者姓名： | 曹宝成 刘明 戴国才 |
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| 作者单位： | 山东大学光电材料和器件研究所 济南市
(曹宝成，刘明)，山东大学光电材料和器件研究所 济南市(戴国才) |
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| 摘 要： | 本文对用蒸发法制备的非晶和多晶碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)薄膜的结构特性及其光学和电学性质进行了研究。在800—2600nm的波长范围内测量了样品的透过率,得到了非晶和多晶状态相应的光学隙分别为1eV以上和0.65eV左右。对非晶样品的退火实验发现,在90—100℃区间退火使非晶样品的结构转变为多晶,同时电阻率突然变小约5个数量级和光学隙由1eV以上突变为0.62eV左右。在20—300K的温度范围内,分别测量了非晶与多晶样品的电阻率,所得结果可用现代非晶半导体理论进行解释。
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| 关 键 词： | Ⅱ-Ⅵ化合物非晶薄膜 光电性质 |
Semiconducting Properties of Amorphous Hg_(1-x)Cd_xTe Films |
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| Cao Baocheng/Institute of Optical and Electronic Materials and Devices,Shandong University
Liu Ming/Institute of Optical and Electronic Materials and Devices,Shandong University
Dai Guocai/Institute of Optical and Electronic Materials and Devices,Shandong University.Semiconducting Properties of Amorphous Hg_(1-x)Cd_xTe Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,1990,11(7):527-532. |
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| Authors: | Cao Baocheng/Institute of Optical and Electronic Materials and Devices Shandong University
Liu Ming/Institute of Optical and Electronic Materials and Devices Shandong University
Dai Guocai/Institute of Optical and Electronic Materials and Devices Shandong University |
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