| 有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究 |
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| 引用本文： | 王立,李述体,彭学新,熊传兵,李鹏,江凤益.有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究[J].发光学报,2001,22(3):213-217. |
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| 作者姓名： | 王立 李述体 彭学新 熊传兵 李鹏 江凤益 |
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| 作者单位： | 南昌大学材料科学研究所 |
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| 基金项目： | 国家“8 6 3”新材料领域 ( 715 -0 0 1-0 0 12 )，国家自然科学基金 ( 6 96 76 0 19)，江西省跨世纪人才 |
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| 摘 要： | 彩MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射／沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了测试。获得了合金层的组分，厚度，结晶品质及发光性能等信息。研究表明：在以N2作主载气的情况下，有机源的载气对InxGa1-xN膜的In组分和生长速率影响很大，生长温度为760℃时，以70ml/min的N2作有机源载气得到的InxGa1-xN膜的In组分为0．10，生长速率为6．0nm/min,而以70ml/min的H2作有机源载气得到的InxGa1-xN薄膜的In组分为0．06，生长速率为10．6nm/min.本文首次报导了载气中含有少量H2能增大InxGa1-xN薄膜的生长速率的现象。
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| 关 键 词： | MOCVD 卢瑟福背散射／沟道技术 光致发光 LnGaN薄膜 铟镓氮化合物 有机源载气 薄膜生长 GaN 氮化镓半导体 |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)03-0213-05 |
| 修稿时间： | 2000年7月17日 |
Influence of Carrier Gas in Metalorganic Precursors on the MOCVD Growth of InGaN Films |
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| WANG Li,LI Shu ti,PENG Xue xin,XIONG Chuan bing,JANG Feng yi.Influence of Carrier Gas in Metalorganic Precursors on the MOCVD Growth of InGaN Films[J].Chinese Journal of Luminescence,2001,22(3):213-217. |
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| Authors: | WANG Li LI Shu ti PENG Xue xin XIONG Chuan bing JANG Feng yi |
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| Keywords: | MOCVD InGaN Rutherford backscattering and ion channeling photoluminescence |
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