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| P型碲化镉中1.41eV发光峰的研究 | |
| 引用本文： | 张丽珠,林昭.P型碲化镉中1.41eV发光峰的研究[J].北京大学学报(自然科学版),1987(3). |
| 作者姓名： | 张丽珠 林昭 |
| 作者单位： | 北京大学物理学系 (张丽珠，林昭(火回)，张伯蕊)，华北光电研究所(李兆瑞) |
| 摘 要： | 本文采用生长中控制不同的Cd和Te的比例的样品,在不同条件下热退火后,测量其光致发光谱。实验发现CdTe晶体中出现的1.41eV发光峰强度随样品中Te量的增加而增强。比较不同热退火条件处理后的样品的光致发光谱得到600℃真空热退火1小时后1.41eV发光峰的强度比有Cd气氛存在的同样温度热退火后要强得多。同一种样品1.41eV峰强度随退火温度增加而增强。实验结果表明1.41eV发光峰对应的发光中心可能是V_(cd)或T_(ei)的复合物。 |
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