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高速低功耗CMOS电荷泵的设计
引用本文:孔青荣,胡赛纯,殷蔚,张红南,黄雅攸.高速低功耗CMOS电荷泵的设计[J].现代电子技术,2008,31(10):7-9.
作者姓名:孔青荣  胡赛纯  殷蔚  张红南  黄雅攸
作者单位:1. 湖南大学物理与微电子科学学院,湖南,长沙,410082;江西新余高等专科学校 江西,新余,338031
2. 湖南城市学院,湖南,益阳,413000
3. 湖南岳阳职业技术学院,湖南,岳阳,414000
4. 湖南大学物理与微电子科学学院,湖南,长沙,410082
摘    要:提出一种适用于锁相环路的高速、低功耗电荷泵电路的设计。针对传统电荷泵电路的电流失配问题,本设计引入增益增强电路取代了传统电路中引用共源共栅来增加输出阻抗,大大提高了电路的性能。采用0.35μmCMOS工艺实现,在HSpice的平台下进行仿真。仿真结果表明,该电路充放电时间为40 ns,整体平均功耗为0.3 mW,实现了高速低功耗的目的。

关 键 词:电荷泵  CMOS  高速低功耗  电流失配
文章编号:1004-373X(2008)10-007-02
修稿时间:2007年11月16

Design of High Speed and Low Power CMOS Charge Pump
KONG Qingrong,HU Saichun,YIN Wei,ZHANG Hongnan,HUANG Yayou.Design of High Speed and Low Power CMOS Charge Pump[J].Modern Electronic Technique,2008,31(10):7-9.
Authors:KONG Qingrong  HU Saichun  YIN Wei  ZHANG Hongnan  HUANG Yayou
Abstract:
Keywords:charge pump  CMOS  high speed low power  current mismatch
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